收藏本站
IXFH 66N20Q
IXFT 66N20Q
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
165
132
99
90
80
70
60
50
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
66
33
0
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
40
30
20
10
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
33
66
99
132
165
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
198
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V D S = 100V
165
8
I D = 33A
I G = 10mA
132
6
99
66
33
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
120
10000
1000
100
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
C iss
C oss
C rss
1
0.1
0.01
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFH6N120P MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
IXFH6N120 MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
IXFH6N90 MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
IXFH70N30Q3 MOSFET N-CH 300V 70A TO-247
IXFH74N20 MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
IXFH75N10Q MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
IXFH75N10 MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
IXFH76N07-11 MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
相关代理商/技术参数
IXFH67N10 功能描述:MOSFET 67 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH68N20 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET POWER MOSFETs
IXFH69N30P 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH6N100 功能描述:MOSFET 1KV 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH6N100 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH6N100F 功能描述:MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH6N100Q 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH6N120 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube